目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路（主要为ttl）和单极型集成电路（cmos、nmos、pmos等）。cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
cmos集成电路的简介
cmos互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成cmos数字集成电路的基本单元。
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成电路的性能特点
微直流功耗 — cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限 — cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围 — cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅 — cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电压的“1”为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗 — cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
高扇出能力 — cmos电路的扇出能力大于50。    
低输入电容— cmos电路的输入电容一般不大于5pf。       
宽工作温度范围 — 陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为 - 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。       
所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。
cmos与ttl的比较
cmos发展比ttl晚，但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了ttl。以下比较两者性能，大家就知道其原因了。
1.cmos是场效应管构成，ttl为双极晶体管构成
2.cmos的逻辑电平范围比较大（5～15v），ttl只能在5v下工作
3.cmos的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，ttl则相差小，抗干扰能力差
4.cmos功耗很小，ttl功耗较大（1～5ma/门）
5.cmos的工作频率较ttl略低，但是高速cmos速度与ttl差不多相当。 
cmos集成电路的使用注意事项
1、cmos电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1ma之内。
3、当接长信号传输线时，在cmos电路端接匹配电阻。
4、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为r=v0/1ma.v0是外界电容上的电压。
5、cmos的输入电流超过1ma，就有可能烧坏cmos。 
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